被系统强迫成为大科学家 第109章 走什么路？碳芯片？

至于爱因斯坦获得诺贝尔奖的原因则是解释了光电效应。

而光电效应，在爱因斯坦的学术成果里只能算是小弟弟了。

但实际上，仅仅这一个学术成果，就能够让任何一位物理学家成为举足轻重的物理学巨佬！

总之，像赵小侯之前搞的这些学术成果，层次很低很低就是了。

他还是很想搞出一个厉害的学术成果，希望别人看到他，称呼他为赵教授。

被众多学术会议热情邀请，去了之后就要做重要讲话等等。

没法，他还年轻，对于名利还是很看重的。

现在利基本上有了，就缺名气了！

可这搞什么研究课题，赵小侯想了半天，都想得有些头痛了，都没能想好。

他甚至于连什么大类的课题都没能想好。

是搞材料研究，还是其它什么研究？

搞其他类型的研究，自己就材料学分数高一些，其他什么数学、物理、化学，还不足以让他能够在研究上有多大的优势。

这一点，在之前的几个研究课题里，他就发现了。

随着他的材料学分数提升，用在研究项目里的科研自由点消耗会随之减少。

这并不不奇怪，当相应的学问知识提升之后，对于研究课题的帮助肯定更大，因而科研自由点的消耗减少也属于正常。

因而就赵小侯现在的学科成绩而言，同样难度的研究课题，数学、物理、化学这些比材料学会消耗更多的科研自由点。

之前他还想过要不要解决一道数学世纪难题，譬如黎曼猜想、霍奇猜想、纳维叶-斯托克斯方程的存在性与光滑性等等。

但他在从长椅上起身的时候就试过了。

以他现在的数学分数，这些数学世纪难题里的任何一个，用科研自由点全程解决的话，至少要消耗5000点科研自由点！

这么多的科研自由点，就算是将赵小侯榨干了，也拿不出来的。

没法，他的数学现在只有244分，较之之前又涨了4分，这还是他没事的时候，被系统控制着去图书馆带来的好处。

但244分的数学分数，放到现实里，也就只是青花大学里数学硕士毕业的平均水平罢了。

没法，数学的门槛就是这么高！

而数学硕士毕业的水平，想一想也没有能力解决任何数学世纪难题。

你全靠系统提供的外挂来解决，这消耗可不就大到登天了？

就这，数学还是赵小侯属性面板里排行第二的学科成绩呢。

物理，这段时间涨了2分，达到了172。

化学涨了1分，达到了151分。

在短时间内，赵小侯就算是想要搞搞其它学科的研究课题，也基本上不可能。

没那个实力啊！

因而，在他走回自己的单人宿舍时，终于下定了决心！

就搞材料学的研究课题！

当然，正如之前所说的那样，像什么合金，什么硅，什么钢等等之类的应用技术，他是不准备搞了。

但像常温-低温超导体这样的世界划时代尖端技术，他也没法搞。

因为这玩意的投入太大了。

至今为止，全世界各国搞常温-低温超导体研究的实验室不少。

但私人搞这个的还真没有，都是国家级的实验室在搞。

就拿丑德拉斯国来说吧，一年投入这个项目的资金就有十亿丑币之多，相当于60亿大夏币。

赵小侯现在的身家全投进去，大概也就只能够维持20天的项目运转。

也就是说，像这类研究，赵小侯是不会去沾边的。

当然，躺在床上，赵小侯又思考了一会，最终选定了碳材料！

原因很简单，其一，碳材料这个科研赛道现在是很火的，并且在材料学里，也足够基础。

其二就是相对于合金、硅材料、塑料这些方向来说，碳材料更容易研究出一些比较高尖端的基础技术来。

想一想就知道了，率先剥离出石墨烯的海姆博士，可是直接就拿了诺贝尔大奖！

之后，不少研究碳材料的学者也都拿到了诺贝尔奖以及国际物理或者化学奖项。

譬如研究碳60的柯尔、史沫莱、克罗脱三位教授。

从次日开始，赵小侯就开始查看碳材料相关的学术论文。

毕竟知己知彼，方能百战不殆！

碳材料对于赵小侯而言，本来就算是一个比较陌生的科研赛道。

如果他不将现在碳材料的情况了解清楚的话，等到他研究出什么学术成果之后，结果一发布成果，别人早就研究出来了，那就搞笑了。

别人有的学术成果，你跑去研究，岂不是白白浪费时间和资金？

忙碌了一周之后，赵小侯最终将科研课题定为碳纳米管，在实验大纲里，赵小侯设定了几个研究方向。

有碳芯片用的碳纳米管，有超高强度太空碳纳米管绳索，以及碳纳米管超导这三个研究方向。

毕竟在一些实验结果出现之前，自己制备的碳纳米管究竟是个什么性能情况，赵小侯也不知道的。

要说这碳纳米管之前被某个小日子过得不错的电镜学家发现。

简单来说，这是一种新型碳材料。

其具有良好的导电性能，并且物理强度乃是钢铁的百倍以上，而重量则只有钢铁的7分之一。

因而碳纳米管绳索现在已经初步被制造出来，用于一些特殊场景之下。

之前的碳芯片，基本上都是走多层石墨烯角度偏移的线路。

就是将角度倾斜不同的石墨烯重叠在一起，然后用化学侵蚀的手段，将其雕刻为一个个相互连接的碳晶体管。

至于为什么不用光刻机，原因很简单，光刻机是用激光高温烧蚀晶圆片来制造芯片。

而碳元素在高温下很容易燃烧。

这也就局限了碳芯片的发展速度。

因为化学侵蚀的手段，首先在加工精度上不够高，同时残次品率很高。

除此之外，石墨烯本身具有高导电性，而芯片这种半导体是需要通电、断电这两种状态。

虽然多层石墨烯角度偏移之后，会使得电阻增大，但如果制成芯片的话，多层石墨烯的角度很难调整。

因而要么整体通电，要么整体断电，无法改变，这就局限了石墨烯芯片的发展。